circuito integrato

Un circuito integrato è un dispositivo o componente elettronico in miniatura. Un certo processo viene utilizzato per interconnettere transistor, resistori, condensatori, induttori e altri componenti e cablaggi richiesti in un circuito, fabbricare su un piccolo o più piccoli wafer semiconduttori o substrati dielettrici e quindi confezionarli in un pacchetto, diventa un micro struttura con la funzione di circuito richiesta
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  • XC9536XL-10VQG44I è un dispositivo logico programmabile complesso (CPLD) prodotto da Xilinx. Questo chip è adatto per scenari applicativi a bassa tensione e ad alte prestazioni, come sistemi informatici e di comunicazione all'avanguardia. Ha 800 cancelli disponibili, supporti

  • ​XCVU095-H1FFVC1517E è un chip FPGA ad alte prestazioni prodotto da Xilinx. Il chip si basa sull'architettura avanzata UltraScale, con 1176000 elementi logici e 67200 moduli logici adattivi (ALM), fornendo fino a 60,8 Mbit di memoria incorporata e 560 porte I/O

  • ​XCVU125-2FLVB2104I è un chip FPGA ad alte prestazioni lanciato da Xilinx, appartenente alla serie VERSAL. Questo chip è prodotto utilizzando una tecnologia avanzata, con un gran numero di componenti logici e moduli logici adattivi, nonché abbondanti risorse di memoria integrate

  • ​XCVU13P-2FIGD2104E è un chip FPGA ad alte prestazioni prodotto da Xilinx. Questo chip si basa sull'architettura avanzata UltraScale+, con potenti capacità di elaborazione logica e abbondanti risorse hardware. Le sue caratteristiche principali includono unità logiche ad alta densità, memoria incorporata,

  • ​XCVU13P-L2FHGA2104E è un chip FPGA ad alte prestazioni prodotto da Xilinx. Questo chip si basa sull'architettura UltraScale+, con eccellenti capacità di elaborazione logica e interfacce IO a larghezza di banda elevata, adatte a vari scenari di calcolo ed elaborazione dati ad alte prestazioni

  • ​XCVU9P-L2FLGB2104E è un chip FPGA ad alte prestazioni della serie Virtex UltraScale+ di Xilinx. Il chip adotta la tecnologia avanzata HKMG (High-K Metal Gate) da 28 nanometri, combinata con la tecnologia Stacked Silicon Interconnect (SSI), per ottenere una combinazione perfetta di basso consumo energetico e prestazioni elevate

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